%A 郭佳乐, 赵齐仲, 田方华, 张垠, 周超, 杨森 %T 室温交换偏置效应的研究进展 %0 Journal Article %D 2021 %J 材料导报 %R %P 297-301 %V 35 %N Z1 %U {http://www.mater-rep.com/CN/abstract/article_4005.shtml} %8 %X 交换偏置效应是指材料在外加磁场或不加磁场冷却后,磁滞回线沿磁场轴发生偏移的现象。它已成为研究信息存储技术的重要理论基础,在诸如磁传感器、磁存储读头以及磁自旋阀等电子器件中有着不可或缺的作用。因此,近年来引起了研究者极大的关注和研究。交换偏置效应广泛存在于纳米核壳结构的颗粒,多层膜体系以及块状合金中。但是,目前研究的具有交换偏置效应的绝大多数材料体系都在低温下(T≤50 K)才可以出现交换偏置效应,从而在很大程度上限制了交换偏置效应在实际中的应用。经过多年的探索和研究,在部分薄膜体系、纳米核壳结构和近补偿的亚铁磁体系得到了室温交换偏置效应。本文将对近年来室温下的交换偏置效应研究进行详细的整理和总结,分析了现阶段室温交换偏置效应研究中存在的问题及面临的挑战,希望能为室温交换偏置效应体系的研究提供参考。